特許

J-GLOBAL ID：200903056369055241

半導体レーザ装置

発明者： 吉武 士郎 ,  塩澤 秀夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-229876
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067839
出願日： 1991年09月10日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 寿命の長い高出力化された半導体レーザ装置を提供する。【構成】 (1,0,0)面から[0,1,-1]方向に傾斜角度θが0<θ≦10度の範囲で傾斜したGaAs半導体基板102の主面103上に、間にInGaPのアンドープ活性層106を備えてInGaAlP系の第1,第2クラッド層105,107を結晶成長させ、[0,1,1]方向に電流狭窄用の溝109を形成し、(0,1,1)面に平行な劈開面で共振器を形成して半導体レーザ装置が構成される。そして活性層106は格子不整が小さく内部歪が少なくなるような組成に設定しているにもかかわらず、自然超格子構造が助長されたものとなっていてバンドギャップエネルギが小さくなり、第1,第2クラッド層105,107とのバンドギャップエネルギの差は大きなものとなり、装置は比較的容易に作成することができると共に寿命が長く高出力で駆動できるものとなる。

請求項（抜粋）：

第1導電型GaAs半導体基板と、この半導体基板に形成された(1,0,0)面から[0,1,-1]方向に傾斜した一主面と、この一主面上に少なくとも結晶成長により積層された第1導電型でIn<SB>y</SB>(Ga<SB>1-x</SB>Al<SB>x</SB>)<SB>1-y</SB>P (0.3<x≦1,0<y<1)の組成を有する第1クラッド層と、In<SB>1-z</SB>Ga<SB>z</SB>P (0<z<1)の組成を有するアンドープ活性層及び第2導電型でIn<SB>y</SB>(Ga<SB>1-x</SB>Al<SB>x</SB>)<SB>1-y</SB>P (0.3<x≦1,0<y<1)の組成を有する第2クラッド層とを備えていることを特徴とする半導体レーザ装置。