特許

J-GLOBAL ID：200903056369776550

半導体装置製造方法

発明者： 原 浩二 ,  高原 洋一 ,  佐伯 智則 ,  富岡 秀起 ,  伊藤 雅樹 ,  津金 賢 ,  伊藤 晴夫 ,  舟橋 倫正
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-202930
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036479
出願日： 1998年07月17日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：

【要約】【課題】高融点金属窒化物、特に窒化タングステンを構成材料の一部に含むゲート電極形成後の洗浄時に、窒化タングステンのエッチングを防止する。【解決手段】洗浄工程で使用する洗浄液として、少なくとも一般式[(R1)nN(R)4-n]+OH-で表される第4級アンモニウム水酸化物および過酸化水素水および純水を含有する混合液で洗浄を行う事により、洗浄時の高融点金属窒化膜のエッチングを防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、高融点金属窒化膜を含む複数層の導体膜を形成する工程と、前記導体膜を所望の形状にパターニングする加工工程と、加工された前記導体膜を洗浄する工程とを有し、前記洗浄工程で使用する洗浄液として、少なくとも、一般式[(R1)nN(R)4-n]+OH-(R1は炭素数1〜4のアルキル基、Rは炭素数1〜4のアルキル基または炭素数1〜4のヒドロキシ置換アルキル基を表し、R1,Rはそれぞれ同一であっても異なっていても良い。nは1〜3の整数。)で表される第4級アンモニウム水酸化物および過酸化水素水および純水を含有する混合液で洗浄を行う事を特徴とする半導体装置製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 647 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/304 647 A ,  H01L 21/28 B ,  H01L 29/78 301 F

Fターム (6件)：

4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD65 ,  5F040EC07 ,  5F040EC12 ,  5F040FC00