特許

J-GLOBAL ID：200903056370621129

半導体装置

発明者： 塩田 郁雄
出願人/特許権者： 株式会社リコー ,  リコー応用電子研究所株式会社
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-053094
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067741
出願日： 1991年02月26日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】 基板に化合物半導体を用いる場合にも、各MISトランジスタの製造工程が複数にならずかつ大きな占有面積を必要としないコンパクトな構造の半導体装置を維持することが可能である。【構成】 基板10に3-5族化合物半導体を用い、pチャネル型、nチャネル型のMISトランジスタ11,12を有する半導体装置であって、pチャネル型のMISトランジスタ11のゲート絶縁膜20をnチャネル型のMISトランジスタ12のゲート絶縁膜21の誘電率よりも大きなものにし、両方のMISトランジスタ11,12の面積サイズ、形状を相違させずに、両方のMISトランジスタのホール、電子移動度の差を補償して動作速度を互いに同じにする。

請求項（抜粋）：

化合物半導体の基板にpチャネル型のMISトランジスタとnチャネル型のMISトランジスタとが形成されている半導体装置において、前記pチャネル型のMISトランジスタのゲート絶縁膜は、前記nチャネル型のMISトランジスタのゲート絶縁膜の誘電率よりも大きな誘電率を有していることを特徴とする半導体装置。