特許
J-GLOBAL ID：200903056371388118
ポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-016847
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218084
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】ポリシリコン薄膜にソース/ドレイン領域を形成する際に工程が複雑で時間のかかるホトレジスト工程及びイオン注入工程を経ないpoly-Si薄膜トランジスタ(TFT)の製造方法を提供する。【構成】絶縁基板11上に形成されるポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法であって、前記絶縁基板11上にゲート電極12、ゲート絶縁膜13を順次形成する工程、前記ゲート絶縁膜13上にポリシリコン膜14を形成した後、該ポリシリコン膜のソース領域形成部とドレイン領域形成部上に、所定の不純物を含有した二酸化シリコン膜15を形成する工程、前記二酸化シリコン膜15をマスクとして前記ポリシリコン膜のチャネル領域14cに酸素プラズマを照射する工程、熱処理することによって前記二酸化シリコン膜の不純物を拡散させて前記ポリシリコン膜にソース領域14a及びドレイン領域14bを形成する工程、を含む。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成されるポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法であって、前記絶縁基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜を順次形成する工程、前記ゲート絶縁膜上にポリシリコン膜を形成した後、該ポリシリコン膜のソース領域形成部とドレイン領域形成部上に、所定の不純物を含有した二酸化シリコン膜を形成する工程、前記二酸化シリコン膜をマスクとして前記ポリシリコン膜のチャネル領域に酸素プラズマを照射する工程、熱処理することによって前記二酸化シリコン膜の不純物を拡散させて前記ポリシリコン膜にソース領域及びドレイン領域を形成する工程、を含むことを特徴とするポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
H01L 29/78 311 P
, H01L 29/78 311 H
