特許

J-GLOBAL ID：200903056372745569

p型半導体、p型半導体の製造方法、半導体装置

発明者： 渡辺 隆行 ,  山本 哲也
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
代理人 (1件)： 森 哲也 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-133885
公開番号（公開出願番号）：特開平11-322500
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月24日
要約：

【要約】【課題】Ib-IIIb-VIb2 族化合物半導体(特に、CuInS2 )を母材としたp型半導体において、キャリア濃度が高く、製造上および性能の点で有利なものを得る。【解決手段】CuInS2 にN(p型不純物)とZn(n型不純物)の両方を添加して、p型CuInS2 を形成する。このp型半導体のキャリア濃度は例えば5×1017(cm-3)となり、CuInS2 に対してNとともにInを添加した場合の値(2×1016(cm-3))、Nのみを添加した場合の値(1×1015(cm-3))と比較して大きい。薄膜型太陽電池のp型半導体層3として、Nのみを含むCuInS2 膜の代わりにNとZnを含むCuInS2 膜を用いることにより、太陽電池の変換効率を例えば4倍程度に高くすることができる。

請求項（抜粋）：

Ib-IIIb-VIb2 族化合物半導体に、Vb族元素からなるp型不純物と、IIb族元素からなるn型不純物とを含有していることを特徴とするp型半導体。

IPC (5件)：

C30B 31/22 ,  H01L 21/425 ,  H01L 21/477 ,  H01L 31/04 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

C30B 31/22 ,  H01L 21/425 ,  H01L 21/477 ,  H01L 33/00 A ,  H01L 31/04 E