特許
J-GLOBAL ID：200903056374826604
配線形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-331540
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196440
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 カリックスアレーン表面のモフォロジー劣化をおこさなで、描画配線の膜質を損なうことなく絶縁膜を局所的に形成し、信頼性の高い直描配線を形成することを目的とする。【構成】 露出した配線を有するシリコンLSI基板1の表面に、カリックスアレーン2を塗布により形成した後、金薄膜3をスパッタ法により形成する。結線を要する2つの配線の上部の金薄膜3に覆われたカリックスアレーン2をパルスYAGレーザ5を照射して熱的に蒸散させることによって取り除き、配線表面をむき出しにした後、レーザCVDチャンバ7にW膜形成用の原料ガスW(CO)6 を流し、Arレーザ4の出射光を両配線間に掃引してW線を形成した。次にシリコンLSI基板1をエタノールに浸し、W線をマスクとして金属膜3とカリックスアレーン2を除去し、下地配線と、堆積させたW線の間に局所的にカリックスアレーンによる絶縁膜を形成する。
請求項（抜粋）：
熱分解反応により導電性物質を析出する原料ガスの雰囲気中に設置した基板の表面に、レーザ光を集光しながら、前記基板に対して相対的に走査して配線を描画する配線形成方法において、描画前の前記基板にカリックスアレーン薄膜および、金属薄膜を順次形成する工程と、さらに配線描画後、この描画配線をマスクとして、前記カリックスアレーン膜をエッチングし、前記描画配線の下の前記金属薄膜、及び前記カリックスアレーン薄膜を残す工程を備えたことを特徴とする配線形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/285
, H01L 21/306
, H01L 21/3205
