電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-253342
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097455
出願日： 1997年09月18日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】断面形状がT字型であるゲート電極を有するHEMTにおいて、半導体基板に接続する方向の抵抗を下げる。【解決手段】オーミックコンタクト層16上の異なる領域に、SiO2 膜17とSiO2 膜17が形成されている。そして、SiO2 膜17及びSiO膜18が側壁となるホールが形成され、該ホールに露出するオーミックコンタクト層16、並びにiO2 膜17及びSiO膜18上に、断面形状がT字型であるゲート電極19が形成されている。SiO2 膜17及びSiO2 膜17に囲まれたホールは、上方に広がって形成されおり、その断面形状がSiO2 膜17とSiO膜18とで異なっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、柱部分と庇部分からなる断面T字型に形成され、柱部分の底部が前記半導体基板に接して設けられたゲート電極と、このゲート電極の庇部分及び柱部分に接して設けられた絶縁膜と、この絶縁膜と前記半導体基板との間に挿入され、且つ前記ゲート電極の柱部分から所定量後退し該後退部分に空隙を形成するように設けられ、ソース・ドレインとのコンタクトをとるためのオーミックコンタクト層とを具備した電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極の柱部分の断面積は、前記半導体基板に向かって小さくなっており、前記ゲート電極の柱部分に接する領域の前記絶縁膜の断面形状は、ドレイン側とソース側とで異なることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/28 301 , H01L 29/778

FI (3件)：

H01L 29/80 F , H01L 21/28 301 H , H01L 29/80 H

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-006838
特開平3-050837
特開平4-167439

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