特許
J-GLOBAL ID：200903056389431606
光学的近接効果補正方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-339447
公開番号（公開出願番号）：特開2000-162758
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 半導体集積回路を形成する場合のOPCの対象とすべきマスクパターンを短時間の内に効率良く抽出できるようにし、かつ、抽出されたマスクパターンを精度良くOPC処理できる光学的近接効果補正方法を提供する。【解決手段】 各々のマスクパターンの形状、および各々のマスクパターンの近傍に位置するマスクパターンとの位置関係によりマスクパターンを分類するマスクパターン分類ステップ100と、このマスクパターン分類ステップ100で分類したマスクパターンの形状に対して光学的近接効果補正(以下、OPC)を実施するOPC実施ステップ101,102とから構成されている。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路のマスクパターンに対する光学的近接効果補正方法において、各々のマスクパターンの形状、および前記各々のマスクパターンの近傍に位置するマスクパターンとの位置関係によりマスクパターンを分類するマスクパターン分類ステップと、このマスクパターン分類ステップで分類したマスクパターンの形状に対して光学的近接効果補正(以下、OPC)を実施するOPC実施ステップと、から構成されていることを特徴とする光学的近接効果補正方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
