特許

J-GLOBAL ID：200903056398443730

MIS型トランジスタおよびその製造方法

発明者： 栗本 一実 ,  広木 彰 ,  小田中 紳二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-282586
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003316
出願日： 1991年10月29日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：

【要約】【目的】 セルフアライメントにコンタクトをとる工程に適し、しかも第一のゲート側壁に導電型材料を用いることができホットエレクトロン劣化にも強く、さらにゲートの上を走る配線とゲート電極の寄生容量の小さいMIS型トランジスタおよびその製造方法を提供する。【構成】 MOSトランジスタにおいて、ゲート電極3に電圧を加えると、N型高濃度拡散層9のソース・ドレイン間に電流が流れ、その際、高誘電体材料としてポリシリコンでできた第一のゲート側壁5が、N型低濃度拡散層8を覆いN型高濃度拡散層9とオーバーラップすることからドレイン近傍の水平電界が緩和されホットエレクトロン劣化を抑制する。またゲート電極3に電圧を加えないと、N型高濃度拡散層9のソース・ドレイン間に電流が流れずスイッチとして動作する。

請求項（抜粋）：

第一導電型半導体基板上に選択的に形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極と、前記ゲート電極側部及び前記半導体基板上に設けられた絶縁膜と、この絶縁膜上部及び側部に設けられた前記絶縁膜より高い誘電率を持ち前記ゲート電極高さよりも低い第一のゲート側壁層と、この第一のゲート側壁を覆う絶縁膜からなる第二のゲート側壁層とを有するMIS型トランジスタ。