特許

J-GLOBAL ID：200903056399733996

半導体基板上の無機残留物を洗浄するための、銅特異的な腐食防止剤を含有する水性洗浄組成物

発明者： ウォジェトクザック,ウィリアム,エー. ,  セイホ,ファティマ,マ. ,  ベルナード,デビッド ,  グエン,ロング
出願人/特許権者： アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-044411
公開番号（公開出願番号）：特開2008-219009
出願日： 2008年02月26日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：

【課題】レジストアッシング工程後の残留物を効果的に除去すると同時に、ウエハ上に留めたい緻密構造を侵食したり潜在的に劣化させることがない化学配合物を提供する。【解決手段】フッ化物源を1〜21重量%と、有機アミンを20〜55重量%と、含窒素成分(例えば含窒素カルボン酸またはイミン)を0.5〜40重量%と、水を23〜50重量%と、金属キレート剤を0〜21重量%とを含む半導体ウエハ洗浄配合物。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

以下の成分を、前記成分の総重量を基準とする以下に示す重量百分率の範囲で含む半導体ウエハ洗浄配合物。 フッ化物源 1〜21% 有機アミン 20〜55% 含窒素カルボン酸およびイミンから選択される含窒素成分 0.5〜40% 水 23〜50% 金属キレート剤 0〜21% 計 100%

IPC (6件)：

H01L 21/304 ,  C11D 7/32 ,  C11D 7/10 ,  C11D 7/26 ,  C11D 7/34 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

H01L21/304 647A ,  C11D7/32 ,  C11D7/10 ,  C11D7/26 ,  C11D7/34 ,  H01L21/30 572B

Fターム (39件)：

4H003DA15 ,  4H003EB03 ,  4H003EB09 ,  4H003EB12 ,  4H003EB13 ,  4H003EB14 ,  4H003EB15 ,  4H003EB17 ,  4H003EB19 ,  4H003EB21 ,  4H003ED30 ,  4H003ED31 ,  4H003ED32 ,  5F046MA02 ,  5F157AA35 ,  5F157AA36 ,  5F157AA46 ,  5F157AA47 ,  5F157AA65 ,  5F157AA70 ,  5F157AA96 ,  5F157AC01 ,  5F157AC25 ,  5F157BA02 ,  5F157BB01 ,  5F157BB11 ,  5F157BC02 ,  5F157BC03 ,  5F157BC54 ,  5F157BD03 ,  5F157BE12 ,  5F157BE34 ,  5F157BF04 ,  5F157BF12 ,  5F157BF38 ,  5F157BF59 ,  5F157BF72 ,  5F157DB03 ,  5F157DB57