特許

J-GLOBAL ID：200903056400572640

窒化チタンスパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者： 叶野 治 ,  安井 浩一
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 倉内 基弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-033955
公開番号（公開出願番号）：特開平6-228747
出願日： 1993年02月01日
公開日（公表日）： 1994年08月16日
要約：

【要約】【目的】 パーティクル発生量が少なく、所要の強度と靱性を備え、TiN/TiSi/Si構造において良好な絶縁特性を与えるN/Tiモル比xが0.1〜1.0、特には0.4〜0.6のTiNx スパッタリングターゲットの開発。【構成】 80〜88%の密度比と10kgf/mm2 以上の圧縮強度とを有しそしてN/Tiモル比xが0.1〜1.0、特には0.4〜0.6の範囲にある窒化チタン(TiNx )スパッタリングターゲット。平均粒径5〜200μmのTi粉を600〜1000°Cでホットプレス乃至HIP処理して或いはコールドプレス乃至CIP処理後900〜1300°Cで焼結して密度比80〜88%の有孔質Ti焼結体を生成し、次いで有孔質Ti焼結体を窒素含有ガス雰囲気中で加熱して窒化し、その際N/Tiモル比xが0.1〜1.0の範囲となるよう窒化条件を制御する。特には、N/Tiモル比xが0.4〜0.6の範囲となるよう窒化温度を1100°C以下に制御する。

請求項（抜粋）：

80〜88%の密度比と10kgf/mm2 以上の圧縮強度とを有しそしてN/Tiモル比xが0.1〜1.0の範囲にある窒化チタン(TiNx )スパッタリングターゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ,  C22C 29/16