特許

J-GLOBAL ID：200903056404980220

N-チャネル半導体材料を含むデバイス

発明者： ハワード イーダン カッツ ,  ウェンジー リー ,  アンドリュー ジェー.ロヴィンガー
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-090013
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307173
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 改善された、N-チャネル半導体材料を含むデバイスを提供する。【解決手段】 本発明によれば、改善されたn-チャネル半導電性薄膜を含むデバイスが実現される。薄膜は縮合環テトラカルボン酸ジイミド化合物から形成され、薄膜の形態で0.001cm2/Vs、有利な場合は0.03cm2/Vs以上の電界効果電子移動度を示す。考えられる化合物には、ナフタレン1,4,5,8-テトラカルボン酸ジイミド、ナフタレン2,3,6,7-テトラカルボン酸ジイミド、アントラセン2,3,6,7-テトラカルボン酸ジイミド及びそれらの複素環置換体(誘導体)が含まれる。n-チャネル化合物は一般的な有機溶媒中に著しく可溶であり、能動半導体薄膜の溶液堆積ができる。また、必要な場合には、気相堆積が比較的容易であるように、著しく揮発性のプロセスが可能である。また、化合物は空気中で動作させた場合ですら、望ましい高いn-チャネル移動度とオン/オフ比を示すことが可能である。

請求項（抜粋）：

薄膜が縮合環テトラカルボン酸ジイミドの化合物を含み、薄膜は0.001cm2/Vsより大きな電界効果電子移動度を示すn-チャネル半導電性薄膜を含むデバイス。

IPC (2件)：

H01L 51/00 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B