特許
J-GLOBAL ID:200903056405903670

エレクトロクロミック系用イオン貯蔵層の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小田島 平吉 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-061634
公開番号(公開出願番号):特開平11-316393
出願日: 1999年03月09日
公開日(公表日): 1999年11月16日
要約:
【要約】【課題】 エレクトロクロミック系用イオン貯蔵層の製造方法。【解決手段】 エレクトロクロミック層系用のイオン貯蔵層を酸化バナジウムまたは酸化ニオブからか或はリチウムイオンを含有する酸化バナジウムまたは酸化ニオブから製造する方法において、ここでは、上記イオン貯蔵層を基質上にゾル-ゲル方法で水溶液から40から150°Cの温度範囲内で生じさせる。
請求項(抜粋):
エレクトロクロミック層系用のイオン貯蔵層を酸化バナジウムまたは酸化ニオブからか或はリチウムイオンを含有する酸化バナジウムまたは酸化ニオブから製造する方法であって、該イオン貯蔵層を基質上にゾル-ゲル方法で水溶液から40から150°Cの温度範囲内で生じさせる方法。

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