特許

J-GLOBAL ID：200903056407590164

半導体ウェハ保持装置

発明者： 三嶋 和彦 ,  岡田 哲
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
代理人 (1件)： 高木 義輝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-071429
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275513
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 汚染が少なく加工が容易なセラミックの半導体ウェハ保持装置を提供し、また、静電気による帯電を防止できる半導体ウェハ保持装置の提供を目的とする。【構成】 セラミックで形成した半導体ウェハ保持装置において、半導体ウェハの保持面を体積固有抵抗が105 Ω・cm以下の硬質薄膜で被覆した半導体ウェハ保持装置である。体積固有抵抗が105 Ω・cm以下の抵抗を有するセラミックを素材とした半導体ウェハ保持装置である。

請求項（抜粋）：

セラミックで形成した半導体ウェハ保持装置において、半導体ウェハの保持面を体積固有抵抗が105Ω・cm以下の硬質薄膜で被覆したことを特徴とする半導体ウェハ保持装置。

IPC (5件)：

H01L 21/68 ,  B25J 15/06 ,  B65G 49/07 ,  B65H 5/14 ,  B25B 11/00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-061954
  
• 特開昭59-147452
  
• 特開平3-060014