特許
J-GLOBAL ID：200903056412729430
不揮発性記憶素子およびその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-151267
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008156
出願日： 1995年06月19日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：
【要約】【目的】 フローティングゲートから素子分離領域への電荷のリークを防止することができる不揮発性記憶素子を提供すること。【構成】 素子分離用溝12間に挟まれたシリコン基板11上面にそれぞれ第1ゲート絶縁膜13を介してフローティングゲート14が形成され、互いに隣合う第1ゲート絶縁膜13およびフローティングゲート14間には溝状孔部15が形成されている。溝状孔部15内の少なくとも一部と素子分離用溝12内とには、後述する第2絶縁膜16bより膜質が緻密でかつ少なくとも溝状孔部12の内面を覆う第1絶縁膜16aと、素子分離用溝12内を埋込むとともに溝状孔部15内を第1絶縁膜16aを介して埋込む第2絶縁膜16bとからなる素子分離膜16が形成されており、フローティングゲート14上には、第2ゲート絶縁膜17を介してコントロールゲート18が形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基体に所定間隔で形成された素子分離用溝と、該素子分離用溝間に挟まれた半導体基体上面にそれぞれ第1ゲート絶縁膜を介して形成されかつ前記素子分離用溝の長さ方向に対して略垂直な方向に形成配置されたフローティングゲートと、互いに隣合う前記第1ゲート絶縁膜および前記フローティングゲート間に形成されて前記素子分離用溝に連通する溝状孔部と、該溝状孔部内の少なくとも一部と前記素子分離用溝内とを埋込む状態で形成された素子分離膜と、前記フローティングゲート上に第2ゲート絶縁膜を介して形成されたコントロールゲートとを有する不揮発性記憶素子において、前記素子分離膜は、少なくとも前記溝状孔部の内面を覆う第1絶縁膜と、前記素子分離用溝内を埋込むとともに前記溝状孔部内を前記第1絶縁膜を介して埋込む第2絶縁膜とからなり、前記第1絶縁膜は前記第2絶縁膜より膜質が緻密であることを特徴とする不揮発性記憶素子。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
