圧電磁器組成物、及び圧電セラミック電子部品

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國弘安俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-347561
公開番号（公開出願番号）：特開2006-188414
出願日： 2005年12月01日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】圧電特性と抗電界の双方を向上させることが可能な圧電磁器組成物及びこれを用いて製造された圧電セラミック電子部品を得る。【解決手段】セラミック素体4を形成する圧電磁器組成物が、一般式{xBiMeO3-yPbZrO3-(1-x-y)PbTiO3}(ただし、MeはSc又はIn)で表される複合ペロブスカイト型化合物を主成分とし、x、yが0.00<x<0.30、0<y<1.00、0.30<(x+y)<1.00の範囲にあり、かつ、主成分100モルに対しNb、Ta、Sb及びWの中から選択された少なくとも1種の元素を0.001〜3.0モルで含有している。また、上記一般式にzPb(M11/3M22/3)O3(M1はNi、Mg、Zn、M2はNb、Ta、Sb)を固溶させて主成分としてもよい。さらに、Ag又はCuを0.001〜3.0重量%含有するのも好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一般式{xBiMeO3-yPbZrO3-(1-x-y)PbTiO3}(ただし、MeはSc及びInのうちの少なくともいずれか1種の元素を示す)で表される複合ペロブスカイト型化合物を主成分とし、前記x、yが0.00<x<0.30、0<y<1.00、0.30<(x+y)<1.00の範囲にあり、かつ、前記主成分100モルに対し、Nb、Ta、Sb、及びWの中から選択された少なくとも1種の元素が0.001〜3.0モル含有されていることを特徴とする圧電磁器組成物。

IPC (3件)：

C04B 35/46 , H01L 41/187 , H01L 41/083

FI (5件)：

C04B35/46 M , H01L41/18 101D , H01L41/18 101J , H01L41/18 101F , H01L41/08 Q

Fターム (22件)：

4G031AA03 , 4G031AA04 , 4G031AA05 , 4G031AA06 , 4G031AA07 , 4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA14 , 4G031AA15 , 4G031AA18 , 4G031AA23 , 4G031AA24 , 4G031AA25 , 4G031AA26 , 4G031AA27 , 4G031AA32 , 4G031AA34 , 4G031AA35 , 4G031BA10 , 4G031CA01 , 4G031GA04 , 4G031GA11

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許出願公開US2003/0031622A1公報

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