特許
J-GLOBAL ID：200903056421212610
ダイナミツク型半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-105764
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129554
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 小さいセル容量で高信頼性の動作を実現したDRAMを提供することを目的とする。【構成】 MOSトランジスタM1 とキャパシタC1 により構成されるメモリセルMCとビット線BLの間に、MOSトランジスタの基板領域SUBをコレクタベースとし、MOSトランジスタのドレイン層をベースとし、このベース層にビット線BLに接続されるエミッタが形成されたバイポーラトランジスタQ1 を介在させて、データ読出しにバイポーラトランジスタQ1 の電流増幅作用を利用するようにした。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記基板に配列形成された、MOSトランジスタとキャパシタとからなるメモリセルと、前記MOSトランジスタの第1導電型基板領域をコレクタとし、ドレインを第2導電型ベースとし、このベースと接合を構成する第1導電型エミッタを有するバイポーラトランジスタと、前記バイポーラトランジスタのエミッタに接続された、前記メモリセルとデータの授受を行うためのビット線と、前記MOSトランジスタのゲートに接続された、前記メモリセルを駆動するためのワード線と、を備えたことを特徴とするダイナミック型半導体記憶装置。
引用特許：
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