特許
J-GLOBAL ID:200903056421540250

プラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 滝本 智之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-184614
公開番号(公開出願番号):特開平10-032186
出願日: 1996年07月15日
公開日(公表日): 1998年02月03日
要約:
【要約】【課題】 処理室内の防着板に堆積したデポジション物質がエッチング中に剥がれ、基板上へ付着して製品歩留まりを低下させていた。【解決手段】 上部電極を有し、ドライエッチング処理を行う処理室1内に、真空排気を行う排気口2と、エッチングガスを導入するガス導入口3と、被処理物である半導体基板4を載せる支持台5と、処理室1と電気的に絶縁された電圧印加用の下部電極6と、処理室1の底面からスペーサー7を介して、処理室1内の内壁に設けられた防着板8、防着板9と、エッチングプラズマを発生するための高周波電源10とより構成され、防着板に堆積したデポジション物質の剥がれを抑制するため、防着板8,9の表面には、10〜100[μm]の凹凸を設けるものである。これにより、デポジション物質が防着板から剥がれるまでの時間を長時間とすることができる。
請求項(抜粋):
プラズマ処理装置の処理室内の内壁に設けた防着板が、その表面粗さ10〜100[μm]の凹凸を有していることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (2件):
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A

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