特許
J-GLOBAL ID：200903056425340655
張り合わせSOIウェーハの製法
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-209117
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061461
出願日： 1992年08月05日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 張り合わせSOIウェーハを製造するに際して、研削時に発生する酸化膜破片によるパーティクルによるシリコン膜層の汚染擦傷がなく、面取り部位の仕上げ精度が高く、作業効率が高く、かつウェーハの層間の酸化膜20を損傷しない製法を得る。【構成】 酸化膜20を介在させて張り合わせた張り合わせウェーハ10の一方のシリコンウェーハ11の外周部を、酸化膜20とは反対側の面から厚み方向に、酸化膜20との間に残厚zを残す部位まで研削し、この研削された張り合わせウェーハを酸化膜非溶解性のエッチング液に浸漬して酸化膜が露出するまでエッチングし、次いで酸化膜溶解性のエッチング液に浸漬して、露出した酸化膜を除去する。
請求項（抜粋）：
2枚のシリコンウェーハを酸化膜を介在させて張り合わせ、一方のシリコンウェーハを活性層を残して除去した張り合わせSOIウェーハを製造するに際して、前記張り合わせSOIウェーハの活性層となる側のウェーハの外周部を、酸化膜とは反対側の面から厚み方向に、酸化膜との間に残厚を残す部位まで研削し、この研削された張り合わせウェーハを酸化膜非溶解性のエッチング液に浸漬して酸化膜が露出するまでエッチングした後、酸化膜溶解性のエッチング液に浸漬して露出した酸化膜を除去することを特徴とする張り合わせSOIウェーハの製法。
IPC (4件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/306
, H01L 21/76
