特許
J-GLOBAL ID：200903056430327896
半導体素子基体及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-046306
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275663
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 高価なSOSやSIMOXの代替足り得るSOI基板と、該基板を、極めて、現実的かつ、高生産性、高均一性、高制御性に作製しえる方法を提供すること。【構成】 一方のSi基板11に形成された多孔質Si12の孔の内壁を酸化し、その上に単結晶Si13を形成し、該単結晶Si層13の表面と他方のSi支持基板14(又は光透過性基板44)とを絶縁層15を介して貼り合わせ、まず、Si基板11を多孔質Si12をエッチストップ層として選択的にエッチングし、次に、多孔質Si13を単結晶Si層13をエッチストップ層として選択的に化学エッチング(弗酸(+過酸化水素水)(+アルコ-ル)、あるいはバッファード弗酸(+過 酸 化水素水)(+アルコ-ル))により除去し、絶縁層15上に単結晶構造を有する薄膜 Si層13を均一に形成する。本発明は実験で実証されている。
請求項（抜粋）：
Si材料から成る第1の基板体の少なくとも一面側の表面層を多孔質化する工程、該多孔質化したSi層の孔の内壁を酸化する工程、該多孔質化したSi層上に単結晶Si層を形成する工程、該単結晶Si層と第2の基板体の一面とを絶縁層を介して貼り合わせる工程、該貼り合わされた第2の基板体をエッチング耐性マスクで覆い、前記多孔質化したSi層を除く第1の基板体を選択的にエッチングして除去する第1エッチング工程、該除去により露出する前記多孔質化したSi層を弗酸、又は弗酸にアルコールと過酸化水素水の少なくともいずれか一方を添加した第1混合液により、又はバッファード弗酸若しくはバッファード弗酸にアルコールと過酸化水素水の少なくともいずれか一方を添加した第2混合液により浸潤させることで前記多孔質化したSi層のみを選択的に除去する第2エッチング工程、を有することを特徴とする半導体素子基体の作製方法。
IPC (5件)：
H01L 27/12
, H01L 21/02
, H01L 21/76
, H01L 21/336
, H01L 29/784
