特許
J-GLOBAL ID：200903056431212464
層状超格子物質を作製し、それを含む電子デバイスを作製する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
石田 敬 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-511140
公開番号（公開出願番号）：特表平8-502628
出願日： 1993年10月21日
公開日（公表日）： 1996年03月19日
要約：
【要約】金属を含む液体前駆体を基板(18)に塗布し、RTPベークし、そしてアニールすることにより層状超格子物質(30)を形成する。良好な電気特性を得るためには、高ビスマス量の前駆体以外の場合は、RTPおよびアニールにおいて基板(18)を酸素中でプリべークすることが必要である。化学量論比の110%〜140%の過剰ビスマスと750°CのRTP温度が最適である。この膜は2層構造(30A,30B)に形成され、その第1層には化学量論組成の前駆体を用い、第2層には過剰ビスマスの前駆体を用いる。
請求項（抜粋）：
基板(18)と金属を含む前駆体とを準備する工程、および該前駆体を該基板(18)に塗布する工程を含んで成る、層状超格子物質(30)を作製する方法において、該基板(18)上の該前駆体を急速熱処理することにより該基板(18)上に該金属を含む層状超格子物質(30)を形成することを特徴とする層状超格子物質の作製方法。
IPC (11件)：
H01L 27/108
, C01B 13/32
, C23C 18/12
, C30B 29/30
, C30B 29/32
, H01L 21/316
, H01L 21/822
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 27/10 451
, H01L 29/40
H01L 27/10 651
, H01L 27/04 C
