特許

J-GLOBAL ID：200903056432196268

含浸形陰極

発明者： 田口 貞憲 ,  鈴木 行男 ,  深山 憲久 ,  斎藤 駿次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-247957
公開番号（公開出願番号）：特開平7-105829
出願日： 1993年10月04日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 さらなる高電流密度を得る。【構成】 多孔質体1と、この多孔質体の細孔部に含浸されたバリウムを含む電子放出物質2とを備える含浸形陰極において、前記多孔質体の主表面に順次被着された第1薄膜7と第2薄膜8とを備え、該第1薄膜はジルコニウム、ハフニウム、チタニウム、ジリコン、タンタリウム、マグネシウム、トリウムおよびレニウムからなる群から選ばれた少なくとも1種の金属元素を含んだ薄膜、第2薄膜は少なくともタングステン、スカンジウム、および酸素を含む薄膜からなる。

請求項（抜粋）：

多孔質体と、この多孔質体の細孔部に含浸されたバリウムを含む電子放出物質とを備える含浸形陰極において、前記多孔質体の主表面に順次被着された第1薄膜と第2薄膜とを備え、該第1薄膜はジルコニウム、ハフニウム、チタニウム、ジリコン、タンタリウム、マグネシウム、トリウムおよびレニウムからなる群から選ばれた少なくとも1種の金属元素を含んだ薄膜、第2薄膜は少なくともタングステン、スカンジウム、および酸素を含む薄膜からなることを特徴とする含浸形陰極。