半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-001080
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204171
出願日： 1993年01月07日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】ゲート電極配線層と上部の金属配線層とのコンタクト部における配線抵抗を低減し、配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上できる半導体装置および製造方法を提供する。【構成】半導体装置のゲート電極配線層とのコンタクト部の配線構造において、ゲート電極配線層側から、ゲート電極配線層、TiMoN層またはTiWN層、AlまたはAl合金配線層によって構成される構造とする。【効果】TiMoNの組成比がTi:Mo:N=1:1:0.5〜1.5の領域でコンタクト抵抗が低くなる。また、Ti:Mo:N=1:1:0.5〜1.5の組成の場合、TiMoNのバリア性も向上し配線の信頼性が良好となる。TiWNの場合も同様に、組成比がTi:W:N=1:1:0.5〜1.5の場合がコンタクト抵抗が低くなり、バリア性が向上し配線の信頼性が良好となる。

請求項（抜粋）：

ゲート電極配線層とのコンタクト部の配線構造が、ゲート電極配線層側から、ゲート電極配線層、TiMoN(チタンモリブデンナイトライド層、Alまたは、Al合金層、であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/90 , H01L 29/62 , H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 21/88 N , H01L 21/88 R , H01L 29/78 301 G

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