多孔質シリコンをエッチングするためのエッチング液、該エッチング液を用いたエッチング方法及び該エッチング液を用いた半導体基材の作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-059118
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342784
出願日： 1992年02月14日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：

【要約】【目的】半導体プロセス上の汚染の危険がなく、多孔質Siを均一に効率よくエッチングする。非多孔質Siと同一基体に設けられた多孔質Siを、高精度且つ選択的にエッチング除去する。絶縁性基体上に結晶性が優れたSi結晶層を得る。【構成】弗酸、バッファード弗酸又はそれにアルコール、過酸化水素水を加えた混合液をエッチング液とする、多孔質シリコンをエッチングするためのエッチング液、該エッチング液を用いたエッチング方法及び該エッチング液を用いた半導体基材の作製方法。

請求項（抜粋）：