特許

J-GLOBAL ID：200903056439529076

デュアルダマシン配線をパターン形成する三層マスキングアーキテクチャ

発明者： タウンゼンド,ポール エイチ.ザ サード ,  ミルス,リン ケー. ,  ウェタールース,ヨースト イェー.エム. ,  ストリットマター,リチャード ジェイ.
出願人/特許権者： ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド
代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  西山 雅也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-582809
公開番号（公開出願番号）：特表2005-522053
出願日： 2003年03月28日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

本発明は、交互するエッチ選択性特性を有し、例えば無機/有機/無機である3個のトップハードマスク層(150、160、170)を使用する、ローケイ誘電体スタック(120、130、140)内の銅ベース配線のためのデュアルダマシン集積方法に関する。

請求項（抜粋）：

a)基体、 b)基体上の、3.0よりも小さい誘電定数を有する頂部部分を含む誘電体スタック、 c)誘電体スタックの上の、銅を除去するように設計されている化学的機械的研磨システムによるエロージョンに対して耐性であり、そして誘電体スタックの頂部部分に対してエッチ選択性を有する第一マスク層、 d)第一マスク層の上の、第一マスク層に対してエッチ選択性を有し、そして誘電体スタックの頂部部分のエッチ特性と同様のエッチ特性を有する第二のマスク層及び e)第二マスク層の上の、第二マスク層に対してエッチ選択性を有し、そして第一マスク層のエッチ特性と同様のエッチ特性を有する第三マスク層を含んでなる物品。

IPC (2件)：

H01L21/768 ,  H01L21/3065

FI (2件)：

H01L21/90 A ,  H01L21/302 105A

Fターム (32件)：

5F004AA03 ,  5F004DB23 ,  5F004DB24 ,  5F004EA01 ,  5F004EA23 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033RR29 ,  5F033SS11 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033WW00 ,  5F033WW09 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 米国特許第6,071,809号明細書
  
• 国際特許出願公開第WO01/18861号明細書
  
• 米国特許第6,265,319号明細書
  
• 米国特許第6,218,078号明細書