特許
J-GLOBAL ID：200903056442450910
ドライエツチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-233154
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074736
出願日： 1991年09月12日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 エッチングガス供給停止後の残留エッチャントによるガスエッチングを無くし速やかなエッチング停止を行う。【構成】 InP基板5を塩素による反応性イオンビームエッチングを停止する際に、エッチャントガスの供給停止と同時に基板直上部に取り付けたエッチング停止ガス導入ノズルより化学反応性の低いAr20sccmを基板に直接吹き付けると、基板近傍で残留塩素は瞬時に十分薄められるのでガスエッチングは起こらず速やかにエッチングが停止できる。またArの替わりに水素を用いると水素が残留塩素と爆発的に反応するのでこれも基板近傍の残留塩素が瞬時に薄められ、エッチングが停止される。
請求項（抜粋）：
化学反応性ガスを用いるドライエッチング方法に於てエッチング工程終了時に反応性ガス供給停止と同時に、基板との反応性の低いガスを基板に直接吹き付けエッチングを停止される工程を有することを特徴とするドライエッチング方法
引用特許：
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