特許

J-GLOBAL ID：200903056445836134

高純度窒化ケイ素粉末の製造方法

発明者： 大塚 哲美 ,  廣島 雄二 ,  川崎 卓
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-307169
公開番号（公開出願番号）：特開2003-112977
出願日： 2001年10月03日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】半導体用冶具や回路基板等の電子部品の用途として好適な高純度窒化ケイ素粉末を、量産性に優れる直接窒化法によって製造すること。【解決手段】3B、5B(窒素を含まず)族元素の合計が100μg/g以下、7B族元素の合計が50μg/g以下、平均粒子径が10〜20μmである金属シリコン粉末原料を、窒素又は窒素とアンモニアを含む窒素分圧30KPa以上の雰囲気下、温度を漸次高め、平均反応速度2.0%/hr以下で、しかも温度1300°C迄における累積反応率を85%以上にして窒化させ、得られた窒化ケイ素インゴットを粉砕することを特徴とする窒化ケイ素粉末の製造方法。

請求項（抜粋）：

3B、5B(窒素を含まず)族元素の合計が100μg/g以下、7B族元素の合計が50μg/g以下、平均粒子径が10〜20μmである金属シリコン粉末原料を、窒素又は窒素とアンモニアを含む窒素分圧30KPa以上の雰囲気下、温度を漸次高め、平均反応速度2.0%/hr以下で、しかも温度1300°C迄における累積反応率を85%以上にして窒化させ、得られた窒化ケイ素インゴットを粉砕することを特徴とする窒化ケイ素粉末の製造方法。

IPC (2件)：

C04B 35/626 ,  C01B 21/068

FI (3件)：

C01B 21/068 D ,  C04B 35/00 A ,  C04B 35/58 102 Q

Fターム (7件)：

4G001BA62 ,  4G001BB32 ,  4G001BC01 ,  4G030AA52 ,  4G030BA01 ,  4G030BA19 ,  4G030GA01