特許

J-GLOBAL ID：200903056450502295

光記憶装置

発明者： 平山 雄三
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-032105
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232525
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 長時間安定で集積化が容易な光記憶素子を半導体材料を使って実現する。【解決手段】 AlAs障壁層12とInGaAs井戸層13からなる量子井戸構造の上下にブラッグ反射鏡15を設けた光記憶素子であって、π/2信号光の照射に引き続くπパルスリフレッシュ光の照射により信号光を保持し、制御光の照射により信号光を放出する。

請求項（抜粋）：

2準位系若しくは擬2準位系において、場と結合できる光のモードの数を0と1の間で変化させる手段と、前記系に1回若しくは複数回連続するπ/2パルス記録光を照射する手段と、前記系に前記記録光に引き続きπパルスリフレッシュ光を1回若しくは複数回照射する手段と、を具備してなることを特徴とする光記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/10 451 ,  G02F 1/015 505 ,  G11B 7/00 ,  H01L 31/10

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  G02F 1/015 505 ,  G11B 7/00 Q ,  H01L 31/10 A