特許

J-GLOBAL ID：200903056451947428

単結晶の製造装置

発明者： 川瀬 智博
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-259154
公開番号（公開出願番号）：特開平5-097567
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月20日
要約：

【要約】【目的】 VB法若しくはVGF法で単結晶を製造する装置の改良において、固液界面の形状制御が容易であり、融液に対して凸状態の下で結晶を成長させることのできる単結晶の製造装置を提供しようとするものである。【構成】 原料融液を収容する縦型容器と、温度勾配炉とを有し、下方より原料融液を冷却固化して単結晶を製造する装置において、固液界面の上方に攪拌ジグを配置し、該攪拌ジグの回転中心に1本の熱電対を設け、該攪拌ジグとるつぼ内壁との間に1本以上の熱電対を配置したことを特徴とする単結晶の製造装置である。

請求項（抜粋）：

原料融液を収容する縦型容器と、温度勾配炉とを有し、下方より原料融液を冷却固化して単結晶を製造する装置において、固液界面の上方に攪拌ジグを配置し、該攪拌ジグの回転中心に1本の熱電対を設け、該攪拌ジグとるつぼ内壁との間に1本以上の熱電対を配置したことを特徴とする単結晶の製造装置。

IPC (3件)：

C30B 11/00 ,  C30B 29/40 501 ,  H01L 21/208