特許

J-GLOBAL ID：200903056454386044

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 早川 利郎
出願人/特許権者： イーストマン・コダックジャパン株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349156
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204599
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】 InGaAsやInGaAlAsを量子井戸活性層とし、低閾値電流かつ温度特性が安定し高信頼性を有した高性能の半導体レーザを容易に提供することを目的とする。【構成】 n-GaAs基板1上にn-GaAsバッファ層2、n-Al0.6 Ga0.4 Asクラッド層3、ノンドープ超格子光ガイド層4、ノンドープIn0.2Ga0.8 As量子井戸層5、ノンドープ超格子光ガイド層6、p-Al0.6 Ga0.4 Asクラッド層7、p-GaAsキャップ8をMBE法を用いて連続的に形成する時に、前記超格子光ガイド層4、6はGaAs3分子層Al0.6 Ga0.4As2分子層を交互に50周期積層し、超格子光ガイド層4の形成中に成長温度を変化させる。

請求項（抜粋）：

活性層が少なくとも1層の量子井戸層より成り、かつ該量子井戸層が少なくともIn,Ga,Asを含む半導体より成る半導体レーザにおいて、前記量子井戸層に隣接する障壁層の少なくとも一つがGaAsおよびAlGaAsあるいはAlAsを交互に積層した超格子層より成ることを特徴とする半導体レーザ。