特許

J-GLOBAL ID：200903056455349177

半導体装置の製造方法

発明者： 関 哲也
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-025118
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226324
出願日： 1992年02月12日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【構成】 シリコン・トレンチのコーナーのラウンド処理をプラズマ酸化により行う。プラズマ酸化では凸部において電界集中が起るため平坦部に比べ酸化が進む。形成された酸化膜は凸部が厚いため、プラズマ酸化後この酸化を除去するとトレンチ凸部のコーナーがラウンド化される。【効果】 耐圧劣化防止のために必要なラウンド処理量(CDロス)が従来のラウンド酸化法比べ少ないため、寸法誤差の低下により素子性能の均一化、また微細素子の作製が可能になる、またプロセスの低温化によりデバイスへの熱影響が少なくなるといった効果を有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板にトレンチを形成する工程と、該トレンチ形成後の該半導体基板に正のバイアス電圧を印加し、該半導体基板を酸素プラズマ雰囲気中で酸化する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/04