特許
J-GLOBAL ID：200903056457425040
薄膜半導体素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-302039
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127313
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】【課題】 単結晶シリコン薄膜太陽電池などにおいて、光の吸収効率を高め、光電変換効率を向上させることができる薄膜半導体素子を提供する。【解決手段】 太陽電池素子10の裏面となるp+ 型層31a上に、レーザアブレーションによってグレーティング10aが形成されている。入射光はグレーティング10aにおいて回折されて再び太陽電池素子10へ戻る。この回折角度がある値以上に大きいときには、太陽電池の法線に対する角度が増大し、シリコン薄膜層(太陽電池素子10)の上面あるいは透明プラスチックフィルム基板13の表面において全反射されて太陽電池素子10に戻る。このような太陽電池素子10に戻る過程を繰り返すことにより、光が太陽電池素子10の内部に閉じ込められる。
請求項（抜粋）：
入射光を電気信号に変換するための光電変換層を有する薄膜半導体素子において、前記光電変換層の光の入射側である表面あるいは裏面の少なくとも一方に、前記光電変換層を透過しようとする光を回折させて前記光電変換層へ戻すための周期的な微細パターンが設けられていることを特徴とする薄膜半導体素子。
Fターム (11件)：
5F051AA05
, 5F051AA10
, 5F051BA13
, 5F051BA14
, 5F051GA04
, 5F051GA05
, 5F051GA06
, 5F051GA11
, 5F051GA20
, 5F051HA16
, 5F051HA20
