特許
J-GLOBAL ID:200903056462097914

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-107245
公開番号(公開出願番号):特開2004-319550
出願日: 2003年04月11日
公開日(公表日): 2004年11月11日
要約:
【課題】半導体装置の出力特性を向上させる。【解決手段】デジタル携帯電話のRFパワーモジュールPMの増幅回路部に電源電圧を供給する電源制御回路のスイッチング素子が形成された半導体チップCswのエミッタ電極が接続されるモジュール基板MCBの主面の電極CE2を複数本のビアホールVH2を通じてモジュール基板MCBの内層の配線CL1に電気的に接続し、さらにこの配線CL1を、複数本のビアホールVH3を通じてモジュール基板MCBの裏面の電源電圧供給用の電極CE3と電気的に接続した。【選択図】 図9
請求項(抜粋):
第1電圧を第2電圧に変換する電源制御回路を構成するバイポーラトランジスタが形成された第1半導体チップと、前記第2電圧を電源とする増幅回路が形成された第2半導体チップと、前記第1、第2半導体チップを搭載する配線基板とを備え、 前記配線基板は、前記第1、第2半導体チップが搭載される第1面と、前記第1面の反対側の第2面とを備え、 前記第1面には、前記バイポーラトランジスタのエミッタ電極用の第1電極と、前記バイポーラトランジスタのコレクタ電極用の第2電極とが設けられ、 前記第2面には、前記第1電圧用の第3電極と、前記第2電圧用の第4電極とが設けられ、 前記第1面の第1電極と、前記第2面の第3電極とを電気的に接続する前記配線基板中の配線経路には、前記配線基板の第1、第2面に交差する方向に延在する接続部が設けられており、前記第1電極および第3電極には複数本の前記接続部が接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L23/12 ,  H01L25/04 ,  H01L25/18
FI (2件):
H01L23/12 E ,  H01L25/04 Z
引用特許:
審査官引用 (1件)

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