特許
J-GLOBAL ID：200903056473819300
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-246964
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097230
出願日： 1992年09月17日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【目的】 半導体チップを基板にフリップフチップ接合した半導体装置の製造方法に関し,チップと基板間に充填する樹脂の流動性および半田バンプとのぬれ性を向上し充填樹脂のボイド量の低減を目的とする。【構成】 1)主剤であるエポキシ樹脂または付加型ポリイミド樹脂に有機溶剤またはシリコーン系反応希釈剤または炭化水素系反応希釈剤を混合し,さらにシリコン系またはチタン系またはアルミニウム系のカップリング剤を混合した樹脂を,フリップチップ接合された半導体チップと基板間に充填する,2)前記樹脂を充填後減圧下で脱泡処理を行うように構成する。
請求項（抜粋）：
主剤であるエポキシ樹脂または付加型ポリイミド樹脂に有機溶剤またはシリコーン系反応希釈剤または炭化水素系反応希釈剤を混合し,さらにシリコン系またはチタン系またはアルミニウム系のカップリング剤を混合した樹脂を,フリップチップ接合された半導体チップと基板間に充填することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/60 311
, C08G 59/20
, C08G 73/10
, H01L 21/52
, H01L 23/10
