特許

J-GLOBAL ID：200903056477637966

光変調器のバイアス制御装置および該バイアス制御装置を用いた光変調装置

発明者： 森 隆
出願人/特許権者： アンリツ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-092945
公開番号（公開出願番号）：特開2004-301965
出願日： 2003年03月28日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】フォトダイオードが低周波正弦波に応答する低速の素子で良く、パワー変化の影響を受けないという従来技術の特長を保ちつつ、変調光の品質劣化や最適点からずれるといったことのないLN変調器のバイアス制御装置、そして、そのバイアス制御装置を用いた光変調装置を提供する。【解決手段】低周波信号発生器10は、入力信号34に比べて周波数の低い正弦波30を出力する。tr,tf 可変手段13は、入力信号34の立ち上がりtrおよび立ち下がりtfを正弦波30に従って変化させた変調信号35を出力する。LN変調器2は入力された光を変調信号35で変調する。光/電気変換器4は光分岐手段3で分岐されたLN変調器2からの光23を電気信号に変換し、該電気信号を受けて同期検波回路11は低周波成分を抽出する。制御手段12は同期検波回路11の出力が零となるようにLN変調器2のバイアス電圧を制御する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

干渉型光変調器に印加するバイアス電圧を制御するバイアス制御装置にして、 前記干渉型光変調器の入力パルス信号に比べて低い周波数の低周波信号を発生する低周波信号発生器(10)と、 前記入力パルス信号を前記低周波信号に基づいて波形変化させる波形変化手段(13)と、 前記バイアス電圧と前記波形変化手段の出力信号とが与えられた前記干渉型光変調器の出力光に含まれる前記低周波信号成分または前記低周波信号の2倍の周波数成分を検出する検出手段(11)と、 前記検出手段の出力信号に基づいて前記バイアス電圧を制御する制御手段(12)とを含む、前記バイアス制御装置において、 前記波形変化手段は、前記入力パルス信号の立ち上がり部および立ち下がり部のうちの少なくとも一方の傾斜もしくは位置、またはその双方を変化させるようになっていることを特徴とするバイアス制御装置。

IPC (1件)：

G02F1/03

FI (1件)：

G02F1/03 502

Fターム (10件)：

2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079BA03 ,  2H079DA03 ,  2H079DA22 ,  2H079EA05 ,  2H079FA01 ,  2H079FA03 ,  2H079FA04