特許

J-GLOBAL ID：200903056479412503

電界効果トランジスタ

発明者： 桑田 展周
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-234959
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074815
出願日： 1991年09月13日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、低雑音、高速動作を達成し、さらに高出力を実現するFETを提供することを目的とする。【構成】 n型の不純物をドープしたGaInAsからなる第1、第2の電子供給層(31)、(32)の間にはIn組成xを変化させた第1、第2のノンドープGa1-X InX Asグレーディッド層(41)、(42)が積層して設けられている。第1のノンドープGa1-X InX Asグレーディッド層(41)は、GaInAsからIn組成xを徐々に上げて形成され、第2のノンドープGa1-X InX Asグレーディッド層(42)は、前述の第1のグレーディッド層(41)からIn組成xを徐々に下げて上面ではGaInAsとなっている。このためIn組成xが最大である領域にキャリア電子が最も多く存在し、その大部分のキャリア電子は、電子供給層(31)、(32)にドーピングされた不純物と空間的に分離されることになる。

請求項（抜粋）：

半絶縁性GaAs基板と、前記半絶縁性GaAs基板上に形成され、GaAsに格子整合する高抵抗の半導体からなるバッファ層と、前記バッファ層上に、n型の不純物をドープして形成された第1のGaInAs電子供給層と、前記第1の電子供給層上に、GaInAsからIn組成xを徐々に上げて形成された第1のノンドープGa1-X InX Asグレーディッド層と、前記第1のグレーディッド層上に、該第1のグレーディッド層からIn組成xを徐々に下げて上面ではGaInAsとなっている第2のノンドープGa1-X InX Asグレーディッド層と、前記第2のグレーディッド層上に、n型の不純物をドープして形成された第2のGaInAs電子供給層と、前記第2の電子供給層上に形成されたGaAsまたはAlGaAsからなるキャップ層と、前記第2のキャップ層上に形成されたソース、ドレイン、及びゲートの各電極とを有することを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20