特許
J-GLOBAL ID：200903056480995792
素子分離領域の形成方法、及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-015725
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213381
出願日： 1995年02月02日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 基板に過度のストレスがかからず、かつプロセス再現性も容易に得ることができる素子分離領域の形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1上に耐絶縁化マスク(耐酸化マスク等)を形成し、該耐絶縁化マスク3の側壁にサイドウォールスペーサ4を形成し、これらをマスクとして半導体基板1を絶縁化して素子分離領域5を形成する場合に、サイドウォールスペーサ4と半導体基板1との間に窒素を含む酸化物から成るバッファ層22(SiON膜等)を介在せしめる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に耐絶縁化マスクを形成し、該耐絶縁化マスクの側壁にサイドウォールスペーサを形成し、これらをマスクとして半導体基板を絶縁化して素子分離領域を形成する素子分離領域の形成方法において、前記サイドウォールスペーサと半導体基板との間に窒素を含む酸化物から成るバッファ層を介在せしめたことを特徴とする素子分離領域の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/94 A
, H01L 21/76 M
