半導体メモリ装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349523
公開番号（公開出願番号）：特開平6-203577
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【目的】この発明は、センスアンプにおける消費電流の低減を図ることを目的とする。【構成】メモリセル部11と、メモリセル部11に接続されたビット線12、12′と、ビット線12、12′をプリチャージするプリチャージ制御回路部15と、ビット線12、12′の電位差を増幅するセンスアンプ部16、17、18と、センスアンプ部16、17の出力が所定の電位だけ変化したことを検出してセンスアンプ部16、17、18の動作を非活性化させる制御を行うレベル検出回路部23とを具備したことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

メモリセル部と、上記メモリセル部を選択する選択手段と、上記メモリセル部に接続されたビット線と、上記ビット線をプリチャージするプリチャージ手段と、上記ビット線の電位を検出するセンスアンプと、上記センスアンプの出力が所定の電位だけ変化したことを検出する電位検出手段と、上記電位検出手段の検出出力に基づいて上記センスアンプの動作期間を制御するセンスアンプ制御手段とを具備したことを特徴とする半導体メモリ装置。

IPC (3件)：

G11C 11/419 , G11C 11/409 , G11C 17/18

FI (3件)：

G11C 11/34 311 , G11C 11/34 353 E , G11C 17/00 306 A

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