特許
J-GLOBAL ID:200903056483136073
光源装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-334886
公開番号(公開出願番号):特開平11-153742
出願日: 1997年11月20日
公開日(公表日): 1999年06月08日
要約:
【要約】【課題】 光源装置が高温になっても変形しにくいベースを有し、高精度なビームピッチを維持できる光源装置を提供する。【解決手段】 複数の半導体レーザ2,2と、これらの半導体レーザを固定するベース1と、各半導体レーザの前面に設けられたコリメータレンズ3,3と、これらのコリメータレンズから出射されるレーザビームを近接したビームにするビーム合成用光学素子5と、これらコリメータレンズとビーム合成用光学素子を覆うために上記ベースに固定されるケース33とを有する光源装置において、上記ケースに1以上のスリット33aを形成し、ケースの曲げ剛性を低下させた。ケースが熱膨張して変形しても、ケースの剛性が低いので、ベースを変形させない。
請求項(抜粋):
複数の半導体レーザと、これらの半導体レーザを固定するベースと、各半導体レーザの前面に設けられたコリメータレンズと、これらのコリメータレンズから出射されるレーザビームを近接したビームにするビーム合成用光学素子と、これらコリメータレンズとビーム合成用光学素子を覆うために上記ベースに固定されるケースとを有する光源装置において、上記ケースに1つ以上のスリットを形成しケースの曲げ剛性を小さくしたことを特徴とする光源装置。
IPC (3件):
G02B 7/02
, B41J 2/44
, G02B 7/18
FI (3件):
G02B 7/02 F
, B41J 3/00 D
, G02B 7/18 A
引用特許:
審査官引用 (3件)
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半導体レーザ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-048515
出願人:株式会社リコー
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光走査装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-262680
出願人:セイコーエプソン株式会社
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特開昭61-165711
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