特許

J-GLOBAL ID：200903056489953537

有機半導体材料、有機半導体構造物及び有機半導体装置

発明者： 前田 博己 ,  冨野 健 ,  菅原 繁 ,  舟橋 正浩 ,  半那 純一
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (1件)： 吉村 俊一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-108528
公開番号（公開出願番号）：特開2005-294588
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年10月20日
要約：

【課題】 少なくとも常温を含む広い温度範囲で液晶相を示すと共に、高い電荷移動度の発現を可能にする有機半導体材料及び有機半導体構造物並びに有機半導体装置を提供する。【解決手段】 下記化学式1で表されるクォーターチオフェン骨格を有する有機半導体材料により、上記課題を解決する。式中、R1はC1〜C20のアルキル基又は水素であり、R2はC1〜C20のアルキル基又は水素である。本発明の有機半導体構造物は、少なくとも-40〜+90°Cの温度範囲で高次のスメクティック液晶相を有する有機半導体層を備え、且つその有機半導体層は少なくとも常温領域で10-1cm2/V・s以上の電荷移動度を有する。【化1】

請求項（抜粋）：

下記化学式1で表されるクォーターチオフェン骨格を有する有機半導体材料であって、式中、R1はC1〜C20のアルキル基又は水素であり、R2はC1〜C20のアルキル基又は水素であることを特徴とする有機半導体材料。

IPC (4件)：

H01L51/00 ,  H01B1/12 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14

FI (4件)：

H01L29/28 ,  H01B1/12 F ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 618B

Fターム (39件)：

3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110QQ06