特許
J-GLOBAL ID：200903056490655949
電界放出型表示装置用の電子放出体及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-121440
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306333
出願日： 1996年05月16日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】【課題】電子放出体を簡便な工程で製造し、またカソード電極と電子放出体とのの接合性を向上させる。【解決手段】所定間隔で対向配設されたアノード電極4及びカソード電極5と、アノード電極4のカソード電極5との対向面に形成された蛍光体6と、カソード電極5のアノード電極4との対向面に形成された負の電子親和力をもつ電子放出体7とを備えている。電子放出体7は、カソード電極5の表面にCVD法等により形成された導電性を有する多結晶シリコン薄膜71と、多結晶シリコン薄膜71の表面にプラズマCVD法等により形成された結晶性ダイヤモンド薄膜72とからなる。電子放出体7は簡便な方法により製造することができ、またCVD法等により膜状に形成された導電性を有する多結晶薄膜71は、カソード電極5の表面に良好に接合される。
請求項（抜粋）：
所定間隔で対向配設されたアノード電極及びカソード電極と、該アノード電極の該カソード電極との対向面に形成された蛍光体と、該カソード電極の該アノード電極との対向面に形成された負の電子親和力をもつ電子放出体とを備えた電界放出型表示装置に用いられる該電子放出体であって、上記カソード電極の表面に形成された導電性を有する多結晶薄膜と、該多結晶薄膜の表面に形成された結晶性ダイヤモンド薄膜とから構成されていることを特徴とする電界放出型表示装置用の電子放出体。
IPC (3件)：
H01J 1/30
, H01J 9/02
, H01J 31/12
H01J 1/30 A
, H01J 9/02 B
, H01J 31/12 C
