特許
J-GLOBAL ID：200903056493439805
単結晶育成方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-220427
公開番号（公開出願番号）：特開2000-053491
出願日： 1998年08月04日
公開日（公表日）： 2000年02月22日
要約：
【要約】【課題】結晶性の優れた酸化物単結晶を安定して育成することを課題とする。【解決手段】耐火物11内にルツボ13を載置するとともに、前記ルツボ13の外周側に高周波誘導用のワークコイル18を設け、前記ルツボ13内の融液を下端に種結晶15を有する引上げ軸16を用いて引き上げて単結晶21の育成を行う単結晶育成装置20であり、前記ルツボ13の上方に設けられた、下側から上側に向かうにつれて縮径するメガホン型のアフターヒータ14と、前記ルツボ13の周辺を包囲する耐火製の覆いと、前記耐火物11、アフターヒータ14及びワークコイル18を少なくとも包囲する筒状体17a,17bとを具備することを特徴とする単結晶育成装置20。
請求項（抜粋）：
耐火物内にルツボを載置するとともに、前記ルツボの外周側に高周波誘導用のワークコイルを上下に移動できるように設け、前記ルツボ内の融液を下端に種結晶を有する引上げ軸を用いて引き上げて単結晶の育成を行う単結晶育成方法であり、結晶育成初期段階では前記ワークコイル上端をルツボ上端高さと一致させ、引上げ軸方向の温度勾配を急激にし、かつ結晶の引き上げとともに成長速度と同じ速度でワークコイルを上昇させて温度勾配を緩やかにすることを特徴とする単結晶育成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
4G050FE04
, 4G050FE12
, 4G050FE22
, 4G050FE27
, 4G077AA02
, 4G077BC13
, 4G077EG18
, 4G077EG19
, 4G077EG20
, 4G077EH07
