特許
J-GLOBAL ID：200903056494194083
埋設接触子を有する薄膜多層太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-525303
公開番号（公開出願番号）：特表平9-511102
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1997年11月04日
要約：
【要約】複数層からなる太陽電池構造は、複数の光起電性整流接合15、16、17、18を形成すべく配列されたp型及びn型半導体層10、11、12、13、14が交互に積み重ねられた積層を含む。低品質の材料からなる薄膜を極めて高い不純物添加レベルで最適化することにより、低コストの電池が製造される。一般的、不純物レベルは1017atoms/cm3を超え、層の厚さは、その厚さでのキャリア拡散距離に関連する。全活性層を通過して下方に延びる溝を有する埋設接触子によって、層と層とが接続される。すなわち、各溝には、接触子が接続する層の型に応じてn型またはp型の不純物が添加される33、34。溝は、金属接続材料31、32によって、完全にまたは一部のみが充填される。
請求項（抜粋）：
少なくとも3層の交互極性層の各層間にp-n接合部を形成する太陽電池であって、 前記少なくとも3層は、1017atoms/cm3を超える最大不純物密度と、それぞれの層の材料の不純物密度の少数キャリア拡散距離を実質的に超えない厚さとを有する太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 B
