特許

J-GLOBAL ID：200903056496919786

窒化ホウ素薄膜及び半導体素子の形成方法、その薄膜形成装置並びにそれらを用いた半導体素子

発明者： 大石 敏之 ,  古川 彰彦 ,  児島 一良
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-139840
公開番号（公開出願番号）：特開平6-329500
出願日： 1993年05月20日
公開日（公表日）： 1994年11月29日
要約：

【要約】【目的】 レーザ薄膜形成装置を使った窒化ホウ素の薄膜形成において、化学量論比を持った欠陥の無い窒化ホウ素の薄膜を形成する。【構成】 レーザ薄膜形成装置の窒素ガス10をラジカルにしてチャンバ5内へ導入することでエネルギーの高い窒素を使い、窒化ホウ素の薄膜を形成する。この方法によって作製された窒化ホウ素は化学量論比を持った欠陥の無い薄膜となる。このため窒化ホウ素と銅の多層構造が形成でき、この多層構造を用いて紫外発光素子、トランジスタ等が作製される。

請求項（抜粋）：

ホウ素より発生した蒸気を試料表面に堆積させると共に、エネルギーを持たせた窒素を上記試料表面に供給することを特徴とする窒化ホウ素薄膜の形成方法。

IPC (7件)：

C30B 29/38 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/90 ,  C30B 23/08 ,  H01L 21/31