特許

J-GLOBAL ID：200903056499258241

II-VI族化合物半導体薄膜の製造方法

発明者： 西村 公佐 ,  長尾 康之 ,  堺 和夫
出願人/特許権者： 国際電信電話株式会社
代理人 (1件)： 大塚 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-082461
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275541
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】II族原料本来の分解温度より低い成長温度での結晶成長を可能としたII-VI族化合物半導体薄膜の製造方法を提供する。【構成】本発明のII-VI族化合物半導体薄膜製造方法は、半導体基板上にII-VI族化合物半導体の薄膜を積層するMOVPE法において、II族化合物とターシャリ・ブチル基を少なくとも一つ有する有機化合物であるVI族化合物とを原料とし、該原料にアゾ・ターシャリ・ブタン(略称:AtB、化学式:(CH3)3CN=NC(CH3)3 )を添加することを特徴とする構成を有している。

請求項（抜粋）：

MOVPE法を用いて半導体基板上にII-VI族化合物半導体の薄膜を積層成長する製造方法において、II族化合物とターシャリ・ブチル基を少なくとも一つ有する有機化合物であるVI族化合物とを原料とし、該原料にアゾ・ターシャリ・ブタン(AtB)を添加し、該添加により成長温度が低くなるようにしたことを特徴とするII-VI族化合物半導体薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/02 ,  C30B 29/48