特許

J-GLOBAL ID：200903056502189957

半導体製造装置

発明者： 山岡 明暢
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-008207
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204441
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】 反応管の損傷防止、操作作業者の安全性の確保に好適な反応室のヒータ昇降機構を備えた半導体製造装置を提供する。【解決手段】 ヒータ昇降装置22を作動により上ブロック19、下ブロック21を連動させ、上部ヒータ2、下部ヒータ7を昇降させたのち、支点19aを中心に上部ヒータ2を回動し反応管1の上面を広く開放する。

請求項（抜粋）：

真空チャンバに連通され、上部ヒータと下部ヒータの間に被覆・挟持した反応管により反応処理を行なう半導体装置であって、所定位置に固定して設けた前記反応管に対して前記上部ヒータ及び下部ヒータを、それぞれ上下方向に連動して昇降させるヒータ昇降機構と、前記反応管の上面側を被覆した上部ヒータ側を開放させるように回動可能な手段を備えることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/24 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/22 501

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 14/24 L ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/22 501 D