特許

J-GLOBAL ID：200903056503921988

導電領域の形成方法及び薄膜素子

発明者： 平野 均 ,  蔵本 慶一 ,  堂本 洋一 ,  村井 成行 ,  井上 大二朗 ,  東野 太栄
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-066124
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261712
出願日： 1997年03月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子などの薄膜素子において、コンタクトホールを形成することなく、多層配線を行うことができる導電領域の新規な形成方法及び新規な薄膜素子を得る。【解決手段】 基板1上に形成された薄膜素子において、エネルギービーム照射により照射領域が導電化する絶縁性薄膜として非晶質ダイヤモンド状被膜3を形成する工程と、該非晶質ダイヤモンド状被膜3にエネルギービーム20を照射し、導電領域3aを形成する工程とを備えることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された薄膜素子に導電領域を形成するための方法であって、エネルギービームの照射により照射領域が導電化する絶縁性薄膜を形成する工程と、前記絶縁性薄膜に前記エネルギービームを照射し、導電領域を形成する工程とを備える導電領域の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/263 ,  H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/263 E ,  H01L 21/268 E