特許

J-GLOBAL ID：200903056504399797

誤り検出及び訂正を備えた多値レベル不揮発性メモリ

発明者： ホック・シー・ソー ,  ソウ・シー・ウォング
出願人/特許権者： インボックス・テクノロジー
代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-252064
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154394
出願日： 1998年09月07日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】 データ誤りに対する耐性を有する多値メモリを提供する。【解決手段】 多値レベル不揮発性メモリがメモリセルの適切な閾値電圧を、データを記憶するための許容状態に対応する範囲とデータ誤りを示す禁止ゾーンに対応する範囲とに分割する。読出し過程では、閾値電圧が禁止ゾーン内にあるか否かを自動的にチェックする。別の実施例では、リフレッシュ過程が、閾値電圧を許容状態にプログラミングする過程と、メモリのセクタを読出す過程と、セクタからのデータをバッファ内に退避する過程と、セクタを消去する過程と、バッファからのデータをセクタ内に再書込みする過程とを含む。不揮発性メモリに対するリフレッシュ過程は、禁止ゾーン内に閾値電圧を検出するのに応じて、メモリのパワーアップ手順の一部として、或いは日、週、或いは月のような期間で周期的に、実行することができる。

請求項（抜粋）：

不揮発性半導体メモリであって、メモリセルのアレイと、前記アレイに電圧を加えるために接続されるドライバ及びデコーダであって、前記電圧は前記アレイ内の任意のメモリへの書込み、並びに前記アレイ内の任意のメモリセルの読出しを実行するために必要とされ、またデータを格納する前記各メモリセルが前記メモリセル内に書込まれる多ビットデータ値を特定する閾値を有する、該ドライバ及びデコーダと、第1の基準信号と第2の基準信号とを発生する基準発生器であって、前記第1の基準信号がデータを格納する前記メモリセルに対して許容される閾値電圧の範囲の境界を示し、また前記第2の基準信号がデータを格納する前記メモリセルに対して禁止される閾値電圧の1つ或いはそれ以上の範囲の境界を示す、該基準発生器と、読出し過程中に前記ドライバ及びデコーダを制御するために接続される制御回路であって、ロジックを含む前記制御回路が読出し過程中にメモリセルの閾値電圧をリフレッシュするための処理を開始し、前記読出し過程により、前記メモリセルの前記閾値電圧が、データを格納する前記メモリセルに対して禁止される範囲にあるか否かを検出する、該制御回路とを有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (4件)：

G11C 16/02 ,  G11C 11/56 ,  G11C 16/06 ,  G11C 29/00 631

FI (5件)：

G11C 17/00 641 ,  G11C 11/56 ,  G11C 29/00 631 P ,  G11C 17/00 614 ,  G11C 17/00 639 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-116573   出願人：ソニー株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-207767   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-102754   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-288400