特許
J-GLOBAL ID：200903056504872867
炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-239278
公開番号（公開出願番号）：特開2001-081568
出願日： 1988年08月11日
公開日（公表日）： 2001年03月27日
要約：
【要約】【課題】 炭素または炭素を主成分とする被膜の密着性を改善する。【解決手段】反応室の内壁など不要箇所に付着した炭素または炭素を主成分とする被膜を水素及び酸素または弗化物気体をプラズマ化してエッチングし、続いてアルゴン等の不活性気体または水素をプラズマして反応室内を清浄した後、炭素または炭素を主成分とする膜を形成する。
請求項（抜粋）：
基板を反応室に入れ、当該基板に炭素または炭素を主成分とする被膜を形成し、当該基板を前記反応室から取り出し、次の基板を前記反応室内に入れ、当該基板に炭素または炭素を主成分とする被膜を形成し、当該基板を取り出すことを繰り返す間に、前記反応室から基板を取り出すたびに、前記反応室内で酸素のプラズマを発生させ、次に不活性気体または水素のプラズマを発生させることを特徴とする炭素または炭素を主成分とする被膜の形成方法。
IPC (3件)：
C23C 16/44
, C23C 14/06
, C23C 16/26
C23C 16/44 J
, C23C 14/06 B
, C23C 14/06 F
, C23C 16/26
