特許
J-GLOBAL ID：200903056510426755
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-087722
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252130
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ゲート電圧が連続的にオン・オフしても、SOI素子ドレイン電流オーバーシュート現象を常に安定的にして、高速で安定した動作のSOI・MOSFETを提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成された絶縁膜上の単結晶シリコン層の一部を高濃度に拡散させた基板コンタクトを設け、単結晶シリコン層に形成されたソースドレイン領域と、第2の絶縁膜を介して基板コンタクトの上方に本体素子を設け、基板コンタクトと本体素子との間にゲート電圧に連動してソース領域とドレイン領域間の中性領域と基板コンタクトとの間のコンダクタンスを単結晶シリコン層に形成された空乏層により制御するスイッチング素子を設け、ゲート印加電圧が本体素子のチャネルを導通させる電圧のときに、中性領域と高濃度拡散領域とを電気的に非導通とし、ゲート印加電圧がチャネルを非導通とさせる電圧のときに、中性領域と高濃度拡散領域とを電気的に導通させる。
請求項（抜粋）：
支持基板上に載置された第1の絶縁膜と;前記第1の絶縁膜上に島状に形成された半導体基板の一部分を、伝導電子濃度が正孔濃度よりも大きい導電型と小さい導電型の何れか一方である第1の導電型の不純物を高濃度に拡散させて形成した基板コンタクト部と;前記半導体基板の他の一部分に伝導電子濃度が正孔濃度よりも大きい導電型と小さい導電型の何れか他方である第2の導電型の不純物を拡散させた拡散領域により形成されるソース領域と、このソース領域から所定方向に一定距離だけ離間して位置すると共に前記第2の導電型の不純物の拡散領域により形成されるドレイン領域と、前記ソース領域およびドレイン領域に挟まれる位置に第1または第2の導電型の不純物により形成されるチャネル領域と、このチャネル領域を第2の絶縁膜を介して制御する第1のゲート領域と、を備える本体素子と;前記チャネル方向に直交する方向でかつ前記第1のゲート領域と一体に形成される第2のゲート領域と、前記第2の絶縁膜を介して前記第2のゲート領域に対応する前記第2の絶縁膜の下側の位置に形成されると共に、前記本体素子の前記チャネル領域と隣接する前記基板コンタクト部の高濃度拡散領域との間のコンダクタンスを前記本体素子のゲートへの印加電圧により制御するコンダクタンス制御領域と、を少なくとも備えるスイッチング素子と;を含むMOS型電界効果トランジスタよりなる半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/265
, H01L 27/12
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 R
, H01L 27/12 B
, H01L 21/265 F
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 Y
, H01L 29/78 301 J
